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Diode de Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Dongguan Chine |
| Nom de marque: | Uchi |
| Certification: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Numéro de modèle: | Diodes Schottky |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | négociation |
|---|---|
| Prix: | Negotiation |
| Détails d'emballage: | Paquet/négociation d'exportation |
| Délai de livraison: | négociation |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000000 par mois |
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Détail Infomation |
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| Type: | Diode de Schottky | Caractéristiques: | Structure commune de cathode |
|---|---|---|---|
| Matériel: | silicium | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Tension en avant maximale: | 0.9V, 0.9V | Tension inverse de maximum: | 200V |
| Surligner: | Diode de Schottky de rendement élevé,Diode d'UL Schottky,Diode de barrière de Schottky de silicium |
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Description de produit
Diode Schottky de rendement élevé de perte de puissance faible pour l'alimentation d'énergie à haute fréquence de commutateur
MBR10100.pdf
La diode Schottky porte le nom de son inventeur, le Dr Schottky (Schottky), et SBD est l'abréviation de Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, en abrégé SBD).Le SBD n'est pas fabriqué selon le principe de la mise en contact du semi-conducteur de type P et du semi-conducteur de type N pour former une jonction PN, mais en utilisant le principe de la jonction métal-semi-conducteur formée par la mise en contact du métal et du semi-conducteur.Par conséquent, SBD est également appelée diode métal-semi-conducteur (contact) ou diode à barrière de surface, qui est une sorte de diode à porteur chaud.
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
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SI(AV) |
10(2×5)A |
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FV(max) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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Tj |
175 °C |
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VRRM |
100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
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Modèle |
Marquage |
Emballer |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
À-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
À-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
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Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
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Tension inverse de crête répétitive |
VRRM |
100 |
V |
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Tension de blocage CC maximale |
VCC |
100 |
V |
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Courant direct moyen |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
par appareil
par diode |
SI(AV) |
10 5 |
UN |
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Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) |
IFSM |
120 |
UN |
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Température de jonction maximale |
Tj |
175 |
°C |
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Plage de température de stockage |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
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