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Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Dongguan Chine |
| Nom de marque: | Uchi |
| Certification: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Numéro de modèle: | MBR10200 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | négociation |
|---|---|
| Prix: | Negotiation |
| Détails d'emballage: | Paquet/négociation d'exportation |
| Délai de livraison: | négociation |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000000 par mois |
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Détail Infomation |
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| Type: | Diode de Schottky | Caractéristiques: | Produit de RoHS |
|---|---|---|---|
| Type de paquet: | Par le trou | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Tension en avant de maximum: | 0.9V, 0.9V | Tension inverse de maximum: | 200V |
| Surligner: | Diode commune de Schottky de structure de cathode,Diode de Schottky de protection de polarité,30A par la diode de trou |
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Description de produit
Diode commune de Schottky de structure de cathode pour des applications de protection de polarité
MBR10200.pdf
Une diode Schottky est un dispositif métal-semi-conducteur composé d'un métal noble (or, argent, aluminium, platine, etc.) A comme électrode positive et d'un semi-conducteur de type N B comme électrode négative, et la barrière de potentiel formée sur le la surface de contact des deux a des caractéristiques de rectification.Parce qu'il y a un grand nombre d'électrons dans le semi-conducteur de type N et seulement une petite quantité d'électrons libres dans le métal noble, les électrons diffusent de B avec une concentration élevée vers A avec une faible concentration.De toute évidence, il n'y a pas de trous dans le métal A et il n'y a pas de diffusion de trous de A vers B. Au fur et à mesure que les électrons continuent de diffuser de B vers A, la concentration d'électrons à la surface de B diminue progressivement et la neutralité électrique de surface est détruite. , formant ainsi une barrière de potentiel, et sa direction de champ électrique est B→A.Cependant, sous l'action du champ électrique, les électrons de A produiront également un mouvement de dérive de A → B, affaiblissant ainsi le champ électrique formé en raison du mouvement de diffusion.Lorsqu'une région de charge d'espace d'une certaine largeur est établie, le mouvement de dérive des électrons provoqué par le champ électrique et le mouvement de diffusion des électrons provoqué par différentes concentrations atteignent un équilibre relatif, formant une barrière Schottky.
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
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SI(AV) |
10(2×5)A |
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FV(max) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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Tj |
175 °C |
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VRRM |
100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
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Modèle |
Marquage |
Emballer |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
À-263 |
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MBR10100R |
MBR10100R |
À-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
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Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
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Tension inverse de crête répétitive |
VRRM |
100 |
V |
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Tension de blocage CC maximale |
VCC |
100 |
V |
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Courant direct moyen |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
par appareil
par diode |
SI(AV) |
10 5 |
UN |
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Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) |
IFSM |
120 |
UN |
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Température de jonction maximale |
Tj |
175 |
°C |
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Plage de température de stockage |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
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