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Résistance à forte intensité de rendement élevé de diodes de Schottky de perte de puissance faible
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Dongguan Chine |
| Nom de marque: | Uchi |
| Certification: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Numéro de modèle: | MBR30100 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | négociation |
|---|---|
| Prix: | Negotiation |
| Détails d'emballage: | Paquet/négociation d'exportation |
| Délai de livraison: | négociation |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 2000000 par mois |
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Détail Infomation |
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| Type: | Diode de Schottky | Caractéristiques: | Résistance à forte intensité |
|---|---|---|---|
| Type de paquet: | Par le trou | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Tension en avant maximale: | 0.9V, 0.9V | Applications: | Diodes de roulement libres |
| Surligner: | Diodes de Schottky de perte de puissance faible,Diodes à forte intensité de Schottky de résistance,Diodes de roulement libres de Schottky |
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Description de produit
Diodes Schottky à faible perte de puissance Rendement élevé Résistance aux courants élevés
MBR30100.pdf
La diode Schottky est une diode à réparation rapide, qui est un composant semi-conducteur rapide à consommation d'énergie.Ses caractéristiques évidentes sont que le temps de récupération inverse est très court (peut être aussi petit que quelques nanosecondes) et que la chute de pression directe n'est que d'environ 0,4 V.Les diodes Schottky sont principalement utilisées comme diodes de redressement haute fréquence, basse tension et courant élevé, diodes de roue libre et diodes de maintenance.Ils sont également utilisés efficacement comme diodes de redressement et petites diodes de détection de signal de données dans les circuits de puissance tels que les communications par fibre optique.Il est couramment utilisé dans le redressement de l'alimentation à découpage secondaire et le redressement de l'alimentation haute tension de la télévision couleur.La diode Schottky utilise la jonction métal-semi-conducteur comme barrière Schottky pour obtenir l'effet réel de redressement, qui est différent de la jonction PN formée par la jonction semi-conducteur-semi-conducteur dans les diodes générales.Les caractéristiques de la barrière Schottky réduisent le courant marche-arrêt de la diode Schottky et peuvent augmenter le taux de conversion.Les diodes Schottky ont une tension de fonctionnement marche-arrêt extrêmement faible.Une diode générale génère un courant d'environ 0,7 à 1,7 ampère lorsque le courant la traverse, mais le courant de la diode Schottky n'est que de 0,15 à 0,45 ampère, ce qui peut améliorer l'efficacité du système.
Caractéristiques
1. Structure cathodique commune
2. Faible perte de puissance, haute efficacité
3. Température de jonction de fonctionnement élevée
4. Anneau de garde pour la protection contre les surtensions, haute fiabilité
5. Produit RoHS
Applications
1. Commutateur haute fréquence Alimentation
2. Diodes de roue libre, applications de protection de polarité
CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES
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SI(AV) |
10(2×5)A |
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FV(max) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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Tj |
175 °C |
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VRRM |
100V |
MESSAGE SUR LE PRODUIT
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Modèle |
Marquage |
Emballer |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
À-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
À-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
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MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
DONNÉES ABSOLUES (Tc=25°C)
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Paramètre |
Symbole |
Valeur |
Unité |
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Tension inverse de crête répétitive |
VRRM |
100 |
V |
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Tension de blocage CC maximale |
VCC |
100 |
V |
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Courant direct moyen |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
par appareil
par diode |
SI(AV) |
10 5 |
UN |
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Courant direct direct non répétitif 8,3 ms simple demi-onde sinusoïdale (méthode JEDEC) |
IFSM |
120 |
UN |
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Température de jonction maximale |
Tj |
175 |
°C |
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Plage de température de stockage |
TSTG |
-40~+150 |
°C |
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